Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.
Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени
Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.
Удвоенная емкость
Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.
|
CAS Latency (CL)
|
40
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
40
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
40
|
|
Количество модулей в комплекте
|
1
|
|
Общий объем
|
8
|
|
Объем одного модуля
|
8
|
|
Пропускная способность
|
PC4-38400
|
|
Тип памяти
|
DDR5
|
|
Форм-фактор
|
DIMM
|
|
Частота
|
4800
|
icq: 423691639
